2024年1月6日 星期六 1時19分31秒
針對第三代半導體芯片碳化硅、氮化鎵我們開發了半燒結和全燒結銀,具有優異的電性能和力學性能,尤其在Fillet height、RBO、VOILD方面具有獨特優勢。
獨特的燒結銀技術
高導熱100 w/mk
無空洞